Prosím o kontrolu zapojení FETů v napájecí části

ondraN
Příspěvky: 934
Registrován: 08 srp 2019, 20:01
Reputation: 0

Re: Prosím o kontrolu zapojení FETů v napájecí části

Příspěvek od ondraN » 08 kvě 2024, 08:44

Běžně se pro omezení napětí na hradle FET tranzistorů používá zenerova dioda a rezistor. Pak je zaručeno, že to nezničí první špička na napájecím napětí. Taky bych pouvažoval, jakou zátěž ten FET spíná V DC-DC měniči jsou na vstupu běžně LowESR kondenzátory a tam při sepnutí jdou dost velké proudy. Při 30V to mohou být klidně i desítky ampér.

Uživatelský avatar
Caster
Příspěvky: 398
Registrován: 11 zář 2019, 09:02
Reputation: 0

Re: Prosím o kontrolu zapojení FETů v napájecí části

Příspěvek od Caster » 08 kvě 2024, 10:18

Mohlo by pomoci p-channel MOSFET switch.

AstroMiK
Příspěvky: 608
Registrován: 08 pro 2017, 19:05
Reputation: 0

Re: Prosím o kontrolu zapojení FETů v napájecí části

Příspěvek od AstroMiK » 08 kvě 2024, 10:39

Ondra:
A nestačilo by jen doplnit odpor mezi Drain T2 a společný bod (R1 + Gate T1)?
Tím se při sepnutém stavu napětí rozdělí mezi R1 a ten přidaný odpor.
Pak už bych se dostal do bezpečné oblasti pod těch katalogových max. 30V mezi G-S.

Co se týče odběru při zapnutí, tak předpokládám, že i ten P-FET bude mít nějaký nenulový odpor mezi D-S, který ten zapínací proud při 30V omezí.
Ale klidně tam vložím ještě nějakou tlumivku v sérii s napájením.
Tam ale zase bude trochu alchymie zvolit takové hodnoty, aby se mi to nerozkmitalo.


Caster:
V podstatě to mám zapojené jako to tam mají nakreslené v příspěvku s číslem 11. Akorát ten R3 mi tam chybí.

Uživatelský avatar
gilhad
Příspěvky: 804
Registrován: 07 bře 2018, 11:22
Reputation: 0

Re: Prosím o kontrolu zapojení FETů v napájecí části

Příspěvek od gilhad » 08 kvě 2024, 11:48

Ten P-FET sice bude mít nenulový odpor, ALE z toho tvojeho PDF vidíš, že při 5V je to maximálně 10 Ohm, při 10V max. 5Ohm. Při vyšších napětích to bude pravděpodobně ještě výrazně míň. Navíc jde o zaručenou maximální hodnotu, čili běžně to bude bezpečně pod touto hodnotou.

(jako mě to trochu překvapilo, u mých MOSFETů to jsou nějaké miliOhmy - fakt nízké hodnoty)

No a v nejpříznivějším případě 30V/5Ohm=6A - to moc neomezuje a v praxi to bude omezovat ještě výrazně míň. Běžně jde otevřený FET považovat za zkrat.

Uživatelský avatar
kiRRow
Příspěvky: 1193
Registrován: 07 kvě 2019, 07:03
Reputation: 0
Bydliště: Opava

Re: Prosím o kontrolu zapojení FETů v napájecí části

Příspěvek od kiRRow » 08 kvě 2024, 13:06

Jak psal gilhad, sepnutý mosfet je v podstatě považovatelný za zkrat. Připojuješ přes 47KOhm /INT toho DS1307 na 30V ...

Uživatelský avatar
Caster
Příspěvky: 398
Registrován: 11 zář 2019, 09:02
Reputation: 0

Re: Prosím o kontrolu zapojení FETů v napájecí části

Příspěvek od Caster » 08 kvě 2024, 14:12

Místo výstupu DS3231 signálu INT jsem použil zdroj provoúhlého signálu 3V s periodou 1s.

Obrázek

Uživatelský avatar
Caster
Příspěvky: 398
Registrován: 11 zář 2019, 09:02
Reputation: 0

Re: Prosím o kontrolu zapojení FETů v napájecí části

Příspěvek od Caster » 08 kvě 2024, 14:50

Caster píše:
08 kvě 2024, 14:12
Místo výstupu DS3231 signálu INT jsem použil zdroj provoúhlého signálu 3V s periodou 1s.
Bez zátěže to nebylo ono ;) . Zelený graf je napětí na výstupu P-CH (horního kontaktu R3) a červeně pak proud zátěže R3 100 Ohm.

Obrázek

AstroMiK
Příspěvky: 608
Registrován: 08 pro 2017, 19:05
Reputation: 0

Re: Prosím o kontrolu zapojení FETů v napájecí části

Příspěvek od AstroMiK » 08 kvě 2024, 16:01

Caster:

Moc díky za snahu.
Ty špičky asi budou souviset s kapacitou řídící elektrody.
Mohl bys tu vystavit ty tvoje soubory "fet_arduino.asc" a "fet_arduino.raw"?
Já bych si tam zkusil nasimulovat ten dělič pro snížení napětí G-S u P-FETu.



kiRRow:

Omlouvám se, ale fakt netuším, kudy by se těch 30V mělo do RTC obvodu dostat.
Podle mě existují jen 2 stavy:
1) /INT výstup je neaktivní, to znamená, že je jakoby odpojený.
V tom případě je N-FET zavřený, protože mezi "G" a "S" má v podstatě stejné napětí (napětí zálohovacího článku 3V).
N-FET je tedy neprůchozí (má pro těch 30V, které jsou na jeho "D" téměř nekonečný odpor).

2) /INT výstup je aktivní (je přizemněný přes vnitřní FET na GND) V tom případě je na "S" 0V a na "G" zůstává napětí zálohovacího článku (3V).
Takže se N-FET sepne (je překročeno spínací napětí mezi "G" a "S") odpor mezi "S" a "D" se sníží téměř na 0.
Na "D" je v tom okamžiku tedy podobné napětí jako na "S" (asi 0V) a celý úbytek napětí se přesouvá na těch 47k, přes který teče proud 30V / 47k = asi 0,6mA.
No a protože se na "D" toho N-FETu objeví v sepnutém stavu téměř 0V, způsobí to zároveň sepnutí P-FETu.

V obou případech je "G" sice připojena na zálohovací článek a zároveň je spojená i do procesorové desky, ale je úplně izolovaná od "D" a "S", takže tudy se taky žádné napětí nedostane.



Ondra, gilhad, kiRRow:

S tím proudem máte asi pravdu.
Až se mi podaří opravit to překročené povolené napětí mezi G a S, tak se kouknu, jak ten proudový náraz vypadá ve skutečnosti.




Zatím bych tedy toto vlákno pozastavil a ozvu se začátkem příštího týdne, jak to dopadlo.
Všem zúčastněným zatím děkuji. Pomohli jste mi trochu se posunout dál.

Uživatelský avatar
Caster
Příspěvky: 398
Registrován: 11 zář 2019, 09:02
Reputation: 0

Re: Prosím o kontrolu zapojení FETů v napájecí části

Příspěvek od Caster » 08 kvě 2024, 17:13

V odkazu posílám soubory, stáhni nízkou rychlostí. Sem nejdou vložit.

P.S. Připomínám, že na výstupu P-FETu máš 28,76 V viz zelený graf.

FET_Arduino.asc
FET_Arduino.raw

Uživatelský avatar
kiRRow
Příspěvky: 1193
Registrován: 07 kvě 2019, 07:03
Reputation: 0
Bydliště: Opava

Re: Prosím o kontrolu zapojení FETů v napájecí části

Příspěvek od kiRRow » 08 kvě 2024, 21:22

Modrý je napětí z baterie co ti otevírá N MOSFET a červený je to co jde na /INT přes 47kOhm. Zbytek napětí jde přes 100kOhm dál ... jakým proudem záleží na vstupním odporu a nebo jak moc to shoří ...
Přílohy
rtc_schema.gif

Odpovědět

Kdo je online

Uživatelé prohlížející si toto fórum: Žádní registrovaní uživatelé a 2 hosti