Prosím o kontrolu zapojení FETů v napájecí části
Re: Prosím o kontrolu zapojení FETů v napájecí části
Běžně se pro omezení napětí na hradle FET tranzistorů používá zenerova dioda a rezistor. Pak je zaručeno, že to nezničí první špička na napájecím napětí. Taky bych pouvažoval, jakou zátěž ten FET spíná V DC-DC měniči jsou na vstupu běžně LowESR kondenzátory a tam při sepnutí jdou dost velké proudy. Při 30V to mohou být klidně i desítky ampér.
Re: Prosím o kontrolu zapojení FETů v napájecí části
Ondra:
A nestačilo by jen doplnit odpor mezi Drain T2 a společný bod (R1 + Gate T1)?
Tím se při sepnutém stavu napětí rozdělí mezi R1 a ten přidaný odpor.
Pak už bych se dostal do bezpečné oblasti pod těch katalogových max. 30V mezi G-S.
Co se týče odběru při zapnutí, tak předpokládám, že i ten P-FET bude mít nějaký nenulový odpor mezi D-S, který ten zapínací proud při 30V omezí.
Ale klidně tam vložím ještě nějakou tlumivku v sérii s napájením.
Tam ale zase bude trochu alchymie zvolit takové hodnoty, aby se mi to nerozkmitalo.
Caster:
V podstatě to mám zapojené jako to tam mají nakreslené v příspěvku s číslem 11. Akorát ten R3 mi tam chybí.
A nestačilo by jen doplnit odpor mezi Drain T2 a společný bod (R1 + Gate T1)?
Tím se při sepnutém stavu napětí rozdělí mezi R1 a ten přidaný odpor.
Pak už bych se dostal do bezpečné oblasti pod těch katalogových max. 30V mezi G-S.
Co se týče odběru při zapnutí, tak předpokládám, že i ten P-FET bude mít nějaký nenulový odpor mezi D-S, který ten zapínací proud při 30V omezí.
Ale klidně tam vložím ještě nějakou tlumivku v sérii s napájením.
Tam ale zase bude trochu alchymie zvolit takové hodnoty, aby se mi to nerozkmitalo.
Caster:
V podstatě to mám zapojené jako to tam mají nakreslené v příspěvku s číslem 11. Akorát ten R3 mi tam chybí.
Re: Prosím o kontrolu zapojení FETů v napájecí části
Ten P-FET sice bude mít nenulový odpor, ALE z toho tvojeho PDF vidíš, že při 5V je to maximálně 10 Ohm, při 10V max. 5Ohm. Při vyšších napětích to bude pravděpodobně ještě výrazně míň. Navíc jde o zaručenou maximální hodnotu, čili běžně to bude bezpečně pod touto hodnotou.
(jako mě to trochu překvapilo, u mých MOSFETů to jsou nějaké miliOhmy - fakt nízké hodnoty)
No a v nejpříznivějším případě 30V/5Ohm=6A - to moc neomezuje a v praxi to bude omezovat ještě výrazně míň. Běžně jde otevřený FET považovat za zkrat.
(jako mě to trochu překvapilo, u mých MOSFETů to jsou nějaké miliOhmy - fakt nízké hodnoty)
No a v nejpříznivějším případě 30V/5Ohm=6A - to moc neomezuje a v praxi to bude omezovat ještě výrazně míň. Běžně jde otevřený FET považovat za zkrat.
Re: Prosím o kontrolu zapojení FETů v napájecí části
Jak psal gilhad, sepnutý mosfet je v podstatě považovatelný za zkrat. Připojuješ přes 47KOhm /INT toho DS1307 na 30V ...
Re: Prosím o kontrolu zapojení FETů v napájecí části
Místo výstupu DS3231 signálu INT jsem použil zdroj provoúhlého signálu 3V s periodou 1s.
Re: Prosím o kontrolu zapojení FETů v napájecí části
Caster:
Moc díky za snahu.
Ty špičky asi budou souviset s kapacitou řídící elektrody.
Mohl bys tu vystavit ty tvoje soubory "fet_arduino.asc" a "fet_arduino.raw"?
Já bych si tam zkusil nasimulovat ten dělič pro snížení napětí G-S u P-FETu.
kiRRow:
Omlouvám se, ale fakt netuším, kudy by se těch 30V mělo do RTC obvodu dostat.
Podle mě existují jen 2 stavy:
1) /INT výstup je neaktivní, to znamená, že je jakoby odpojený.
V tom případě je N-FET zavřený, protože mezi "G" a "S" má v podstatě stejné napětí (napětí zálohovacího článku 3V).
N-FET je tedy neprůchozí (má pro těch 30V, které jsou na jeho "D" téměř nekonečný odpor).
2) /INT výstup je aktivní (je přizemněný přes vnitřní FET na GND) V tom případě je na "S" 0V a na "G" zůstává napětí zálohovacího článku (3V).
Takže se N-FET sepne (je překročeno spínací napětí mezi "G" a "S") odpor mezi "S" a "D" se sníží téměř na 0.
Na "D" je v tom okamžiku tedy podobné napětí jako na "S" (asi 0V) a celý úbytek napětí se přesouvá na těch 47k, přes který teče proud 30V / 47k = asi 0,6mA.
No a protože se na "D" toho N-FETu objeví v sepnutém stavu téměř 0V, způsobí to zároveň sepnutí P-FETu.
V obou případech je "G" sice připojena na zálohovací článek a zároveň je spojená i do procesorové desky, ale je úplně izolovaná od "D" a "S", takže tudy se taky žádné napětí nedostane.
Ondra, gilhad, kiRRow:
S tím proudem máte asi pravdu.
Až se mi podaří opravit to překročené povolené napětí mezi G a S, tak se kouknu, jak ten proudový náraz vypadá ve skutečnosti.
Zatím bych tedy toto vlákno pozastavil a ozvu se začátkem příštího týdne, jak to dopadlo.
Všem zúčastněným zatím děkuji. Pomohli jste mi trochu se posunout dál.
Moc díky za snahu.
Ty špičky asi budou souviset s kapacitou řídící elektrody.
Mohl bys tu vystavit ty tvoje soubory "fet_arduino.asc" a "fet_arduino.raw"?
Já bych si tam zkusil nasimulovat ten dělič pro snížení napětí G-S u P-FETu.
kiRRow:
Omlouvám se, ale fakt netuším, kudy by se těch 30V mělo do RTC obvodu dostat.
Podle mě existují jen 2 stavy:
1) /INT výstup je neaktivní, to znamená, že je jakoby odpojený.
V tom případě je N-FET zavřený, protože mezi "G" a "S" má v podstatě stejné napětí (napětí zálohovacího článku 3V).
N-FET je tedy neprůchozí (má pro těch 30V, které jsou na jeho "D" téměř nekonečný odpor).
2) /INT výstup je aktivní (je přizemněný přes vnitřní FET na GND) V tom případě je na "S" 0V a na "G" zůstává napětí zálohovacího článku (3V).
Takže se N-FET sepne (je překročeno spínací napětí mezi "G" a "S") odpor mezi "S" a "D" se sníží téměř na 0.
Na "D" je v tom okamžiku tedy podobné napětí jako na "S" (asi 0V) a celý úbytek napětí se přesouvá na těch 47k, přes který teče proud 30V / 47k = asi 0,6mA.
No a protože se na "D" toho N-FETu objeví v sepnutém stavu téměř 0V, způsobí to zároveň sepnutí P-FETu.
V obou případech je "G" sice připojena na zálohovací článek a zároveň je spojená i do procesorové desky, ale je úplně izolovaná od "D" a "S", takže tudy se taky žádné napětí nedostane.
Ondra, gilhad, kiRRow:
S tím proudem máte asi pravdu.
Až se mi podaří opravit to překročené povolené napětí mezi G a S, tak se kouknu, jak ten proudový náraz vypadá ve skutečnosti.
Zatím bych tedy toto vlákno pozastavil a ozvu se začátkem příštího týdne, jak to dopadlo.
Všem zúčastněným zatím děkuji. Pomohli jste mi trochu se posunout dál.
Re: Prosím o kontrolu zapojení FETů v napájecí části
V odkazu posílám soubory, stáhni nízkou rychlostí. Sem nejdou vložit.
P.S. Připomínám, že na výstupu P-FETu máš 28,76 V viz zelený graf.
FET_Arduino.asc
FET_Arduino.raw
P.S. Připomínám, že na výstupu P-FETu máš 28,76 V viz zelený graf.
FET_Arduino.asc
FET_Arduino.raw
Re: Prosím o kontrolu zapojení FETů v napájecí části
Modrý je napětí z baterie co ti otevírá N MOSFET a červený je to co jde na /INT přes 47kOhm. Zbytek napětí jde přes 100kOhm dál ... jakým proudem záleží na vstupním odporu a nebo jak moc to shoří ...
Kdo je online
Uživatelé prohlížející si toto fórum: Žádní registrovaní uživatelé a 2 hosti