forum.hwkitchen.cz

Ahoj,
proč nedojde k překlopení mosfetu při připojení 3,3V na Bázi. Stále zůstává otevřený. Když připojím 5V mosfet se zavře.
Jak mám zapojení upravit? Předem děkuji za info

Ten Mosfet má prahové napětí Vgs 0,8-1,2V. Pokud připojíš na gate 3,3V, tak je Vgs=5V-3,3V=1,7V, což ti drží ten tranzistor spolehlivě otevřený.

Úprava záleží na tom, jestli je požadavek co nejmenšího odběru, třeba při bateriovém napájení (pak je nutné použít více FET tranzistorů), nebo na tom moc nezáleží, to je pak jednodušší. Nejjednodušší by bylo použít FET s prahovým napětím (Vgs) nad 2V.

Pro spínání lze koupit speciální IC s ultra nízkým odběrem proudu v klidovém stavu např. TI TPS22916BYFPR spíše lze sehant DS SLG59M1730C a ušetřit tak hodně součástek a prostoru.

Já je používám pro občasné měření napětí baterie (Ubat > 3.3 V) pomocí ADC, kde musím použít odporový dělič, který pro měření dočasně aktivuji.

díky za info. Pomohlo by také předřadit na Bázi Tranzistor NPN?

To je jedno možné řešení (místo Rusb dát NPN, C na Gate, E na zem, B řízení), ale pak se po připojení napájení ten FET sám nesepne a logika ovládání bude opačná, tj. logická H na bázi toho NPN ten FET zapne, L vypne. A pak je ještě nutné dát mezi 5V (drain u FET) a gate rezistor cca 10k-100k, jinak bude svodový proud NPN tranzistoru způsobovat trvalé sepnutí. Do báze NPN pak rezistor cca 100k.

Našel jsem typy LBSS84LT1G, které mají Gate–Source Threaded Voltage VGS(th) 0.8 - 2VDC nebo SI2303 VGS(th) = 1-3VDC, mohl bych je použít?

Můžeš taky posunout napětí gate pomocí sériově zapojených diod. Má to ale háček, že to bude odebírat nějaký malý proud stále, pokud bude něco na 5V napájení, takže je to nevhodné pro bateriový provoz. Tedy: dej mezi G-D fetu (z G na 5V) rezistor cca 10K. Rezistor Rusb1 zvětši na 100K. Místo propojení Gatu s uzlem rezistoru Rusb1 dej 2-3 diody (obyčejné, třena 1N4148) tak, aby byly anody směrem ke Gate a tomu 10k rezistoru (propustně polarizované). Tím se zvětší Ugs o napětí na těch diodách. Počet diod je třeba vyzkoušet, aby se FET spolehlivě otevíral i zavíral. Jinak, i ten navrhovaný SI2303 VGS(th) = 1-3VDC by mohl mít problémy, pokud bude mít ten kus Vgs blízko k 1V.

Otiku, tak jsem to zkoušel :
Mezi G a S toho Fetu jsem dal odpor 10K, aby ho držel zavřený a na G jsem dal kolektor NPN tranzistoru,
a emitor na zem. A do báze odpor 1K a do Arduina a šlape to.

Dobré ráno,
jste skvělí. Nejlepší varianta se mi jeví přidat NPN tranzistor. Jaký typ by jste mi doporučovali? Na jaký parametr se mám dívat aby to fungovalo?
Včera jsem zkoušel SI2303 a taky se nepřeklápěl. Bylo ale lepší, že na rozdíl od SI2301 byl úbytek napětí jen 0,04V kdyžto u SI2301 byl 0,3V.
Existuje nějaký typ mosfetu, který by fungoval samostatně bez další bižuterie?